類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors，推出新一代溝道MOSFET，提供Class D輸出級所需要的高效率、散熱效果和良好的聲頻複製功能。

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這些N和P通道元件的額定電壓為70V，設有SOT223和DPAK封裝，能夠在平面電視、5.1環繞音效系統等功率更高的聲頻應用中，實現安全可靠的操作。各款元件皆適用於採用互補性或全N通道MOSFET配置的單端及橋接式負載輸出級。

最新ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源電壓，相比於60V的零件，它們能為設計人員提供額外的空間，可以適應電源和閘振鈴的大幅變化。元件的通態電阻很低，在10V電壓下，N、P通道元件的通態電阻一般分別只有130mΩ和160mΩ，因此可以經常保持低損耗，體現高效率操作和理想的散熱效果。

新MOSFET把低通態電阻(RDS(on))的優點，結合於快速交換和低閘電荷的特性，實現輸出級效率的最佳化，在設計完備的電路中可達到90%以上的效率。這些N通道和P通道元件，在10V操作環境中的關斷時間和閘漏極電荷，分別為17ns/1.8nC和35ns/3.6nC。

此外，這些新型MOSFET能妥善處理高漏極電流，在單獨的場效應管操作中體現最大功率。由於它們對閘驅動的要求較低，因此可以在需要更高負載功率的應用中，平行設置場效應管。N通道元件採用SOT223和DPAK封裝時的最大漏極電流，分別為3.8和6.1安培，P通道的分別為3.7和5.7安培。