Diodes推出採用高熱效、超微型DFN封裝的新型雙元件組合，適用於可攜式設備的充電和開關應用。

/news/2009/05/19/1441406588.jpg

Diodes亞太區技術市場總監梁後權指出，最新DMS2220LFDB及DMS2120LFWB元件把一個20V的P通道增強型MOSFET與一個相伴的二極管結合封裝，提供2 x 2毫米的DFN2020格式和3 x 2毫米的DFN3020格式。另外的DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET聯合封裝成DFN2020格式。

相較於傳統可攜式應用設計中體積較大的3 x 3毫米封裝，DFN2020可以節省55% 的PCB空間；離板高度只有0.5毫米，比傳統的封裝薄一半，能完全滿足下一代產品設計的需求。用於這些封裝的MOSFET皆具有低閘極電荷，在1.8V的VGS下典型RDS(ON)為86mΩ，可以保持最低的開關和通態損耗。

為了進一步提高操作效率，Diodes特別在這些封裝內採用了本身的高效能超級勢壘整流器(Super Barrier Rectifier)。元件的典型正向電壓低至0.42V，功率耗散量遠遠低於現在一般Schottky二極管。