采用传统电浆灰化方式的光阻去除制程会导致低介电常数（low-k）材料特性的严重劣化，这包括介电常数的增加和微距（critical dimension）的改变。使用hexamethydisilazane（HMDS）之类silyating药剂的复原制程已被用来复原部份灰化薄膜的介电性质，然而这些制程并不能将介电常数复原至刚沉积完成时的低介电常数薄膜，这使得无损害性的光阻去除成为低介电常数材料整合的重大挑战。本文所探讨的晶圆表面处理技术，将介绍如何在批次型喷雾清洗设备的协助下，利用饱和臭氧含量的去离子水（DIO3）来处理化学气相沉积的有机矽玻璃（OSG）低介电常数薄膜，并且分析所得到的光阻去除结果；这项制程不会导致低介电常数性质或微距的改变，此外也证明利用腐蚀抑制剂，就能降低臭氧制程对铜腐蚀效应。

新一代非损害性清洗制程技术简介

要将多孔性材料整合至65奈米以下的先进制程，就必须发展非损害性蚀刻、灰化和清洗制程，采用氧化或还原化学的传统电浆灰化制程会攻击碳矽键（Si-C bond）和增加薄膜密度，进而对低介电常数材料造成重大损害。许多低介电常数复原制程会使用液相、气相或在超临界二氧化碳中做为hexamethyldisilazane（HMDS）的助溶剂，它们已证明可用来处理旋涂式多孔性methylsilsesquioxane（MSQ）薄膜[​​1]~ [3]，这些制程能将介电常数部份复原，使其与刚沉积的材料相差不到10％，但国际半导体技术蓝图（International Technology Roadmap for Semiconductors；ITRS）的2003年发展蓝图却要求从90奈米制程开始，光阻去除和清洗制程所导致的介电常数改变幅度不能超过2.5％[4]。除此之外，虽然ITRS 2003年发展蓝图承认目前的清洗制程会对低介电常数薄膜造成损害，但该蓝图也指出非损害性清洗制程的发展对于未来制程技术的实现极为重要。
...
...