採用傳統電漿灰化方式的光阻去除製程會導致低介電常數（low-k）材料特性的嚴重劣化，這包括介電常數的增加和微距（critical dimension）的改變。使用hexamethydisilazane（HMDS）之類silyating藥劑的復原製程已被用來復原部份灰化薄膜的介電性質，然而這些製程並不能將介電常數復原至剛沉積完成時的低介電常數薄膜，這使得無損害性的光阻去除成為低介電常數材料整合的重大挑戰。本文所探討的晶圓表面處理技術，將介紹如何在批次型噴霧清洗設備的協助下，利用飽和臭氧含量的去離子水（DIO3）來處理化學氣相沉積的有機矽玻璃（OSG）低介電常數薄膜，並且分析所得到的光阻去除結果；這項製程不會導致低介電常數性質或微距的改變，此外也證明利用腐蝕抑制劑，就能降低臭氧製程對銅腐蝕效應。

新一代非損害性清洗製程技術簡介

要將多孔性材料整合至65奈米以下的先進製程，就必須發展非損害性蝕刻、灰化和清洗製程，採用氧化或還原化學的傳統電漿灰化製程會攻擊碳矽鍵（Si-C bond）和增加薄膜密度，進而對低介電常數材料造成重大損害。許多低介電常數復原製程會使用液相、氣相或在超臨界二氧化碳中做為hexamethyldisilazane（HMDS）的助溶劑，它們已證明可用來處理旋塗式多孔性methylsilsesquioxane（MSQ）薄膜[1]~[3]，這些製程能將介電常數部份復原，使其與剛沉積的材料相差不到10％，但國際半導體技術藍圖 （International Technology Roadmap for Semiconductors；ITRS）的2003年發展藍圖卻要求從90奈米製程開始，光阻去除和清洗製程所導致的介電常數改變幅度不能超過2.5％[4]。除此之外，雖然ITRS 2003年發展藍圖承認目前的清洗製程會對低介電常數薄膜造成損害，但該藍圖也指出非損害性清洗製程的發展對於未來製程技術的實現極為重要。
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