由於半導體元件製程技術的快速發展，使得各項電子系統趨向於高密度整合發展。尤其在通訊技術上，一般大哥大手機已由以往如1250ml可口可樂般大的體積縮小到如手掌大小，在這樣的系統上以往所使用的皮膜電阻、電容已銷聲匿跡，其原因在於這樣的元件體積太大，同時由於高頻系統皮膜電阻、電容存在的雜散元件效應已太大，而使得應用有其困難。

SMD(Surface Mounted Devices)形態的元件因為體積及雜散效應小，於近幾年供不應求。

《圖一　ESD物理系統簡圖》

高密度電子系統中因為各項元件趨向於微小化，在電壓過載的情況下系統將會出錯甚至於有永久損毀的可能。在IC(積體電路)設計技術中有相當多的技巧來減低這項問題的可能性，但卻難以達到相當高的可靠程度。一般來說這些技術利用半導體元件因高壓而工作於崩潰區，並將電流導向整個系統的地點，縱使元件可以承受這樣高的電壓，高電流於高密度IC中的傳導必將造定成一些問題。於設計上使用的I/O Pad面積以及Pad與內部線路的距離將會決定IC的保護程度，越高程度的保護，IC所使用的面積也相較的變大(以現在高密度整合的過程，一些考量必定會疏忽)。多層膜陶瓷SMD型態瞬時電壓過載保護元件，將是高密度電子系統一項高信賴度過載保護的選擇。
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