帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES / 文章 /
黃光技術力求突破
迎接0.13微米時代 銅製程新挑戰

【作者: 李志武】   2001年09月01日 星期六

瀏覽人次:【12918】

若有機會置身在晶圓廠中,走過蝕刻(Etch)、爐管(Diffusion)、離子植入(Implant)等製程部門,可能還不會有什麼特別感覺,但是當看到廠房內有一部門,其燈全是黃色燈光,房間內彷彿洗底片之暗房般,而該部門稱之為「黃光」,就不免讓路過的人產生好奇心。


黃光,即是為避免產品曝光,產品在黃光下進行一連串的半導體微影(Lithography)製程動作,目前已有的微影技術為Visible(可見光)、NUV(Near Ultra-Violet,近紫外光)、MUV(Mid UV;中紫外光)、DUV(Deep UV;深紫外光)、VUV(Vacuum UV;真空紫外光)、EUV(Extreme UV;極短紫外光)、X-光等,至於G-line之436奈米以及I-line的365奈米,目前已漸漸為業界所淘汰。


隨著奈米技術出現,黃光在半導體製程中亦顯重要,因此如何利用黃光技術來克服線寬問題,為所有光罩代工廠及晶圓廠的共同目標。不過,目前業界真正能量產的是0.18微米的光罩,0.15微米光罩只有少量產出,0.13微米則是所有光罩代工廠研發進展的共同目標,究竟何時0.13微米才能真正成為光罩主流,仍是未知數。


@大標.13微米微影技術


事實上,0.13微米製程的技術瓶頸,主要問題就是在光罩。由於0.13微米光罩的良率不比0.18微米的良率好,使得好的光罩較難產出,0.13微米光罩在供不應給下,身價水漲船高,價格貴如黃金。


曾聽聞一位IC設計業者指出,目前0.25微米光罩價格約新台幣1000萬元,0.18微米光罩價格高達新台幣3000萬元,基於經濟考量,該公司寧願用8吋0.35微米製程生產產品,未來才慢慢計畫朝0.25微米發展,至於0.18微米則完全不急著切入。


產品價格反應出現有技術的困難,換言之,光罩價格之所以高居不下,原因為當IC線寬越來越小時,微影技術要求就越來越嚴格,投入光罩生產設備的資本就會越來越大,加上良率不易穩定,使得光罩廠在追求0.13微米製程的同時,製程成本就像滾雪球一樣越滾越大,最後這些成本壓力都反應到光罩上來,造成長期以來光罩價格居高不下的因素。


黃光技術主流

依黃光技術來看,目前以DUV(Deep UV;深紫外光)為業界之技術主流,以248奈米及193奈米為主,其中業界利用248奈米搭配PSM(Phase-shifting mask;相移圖罩)及OPC(Optical Proximity Correction;光學微距校正),達到0.13微米製程效果。當製程達到0.10微米時,也可以利用193奈米搭配PSM,即可有效縮小線寬。


極短紫外光

EUV(Extreme UV;極短紫外光)的波長為157奈米,由於EUV存有技術瓶頸問題,為光穿過步進機(Stepper)的透鏡鏡頭到達光阻時,光阻問題即被彰顯出來,因此有些人在光阻上塗蓋(coating)一些東西,有些則仍使用現有的光阻材料。157奈米在使用現有光阻材料的同時,可能發生薄膜缺陷,而且薄膜越薄缺陷將越多,導至製程更困難的境地,因此157奈米光阻的材料選擇,也成為產學業界的研究課題之一。


193奈米

同樣地,193奈米也有光阻材料使用上的問題,但情況不比157奈米嚴重。目前美國德州奧斯汀大學威爾森研究團隊,即針對193奈米做研究,其改善以脂環族(alicyclic)為主的光阻曝光後的穩定性,所得的效果,也是曝光及顯影製程中容許的延遲時間,為過去光阻的五倍。


X-光微影

X-光微影中,硬X-光的解像度為0.01~0.2奈米,軟X-光為0.2~0.25奈米,同步輻射X-光為0.8奈米。X-光雖然具有波長短,解像度高,且符合目前半導體產業走向奈米製程的要求,但是X-光的能量高,影印速度太慢,製程成本太高,加上設備製作上有困難,使得X-光一直處於實驗室用技術,很難達到業界要求的量產目標。


設備成本過高

光罩技術由於相當前瞻,其設備之研發及成本,都需要一筆驚人的資本投入。台灣光罩廠包括台積電、台灣光罩、翔準、中華杜邦、中華凸版,目前為配合0.13微米製程需求,已積極投入0.13微米光罩的開發。有光罩業者表示,為搶攻0.13微米市場,各家廠商不斷購入相關的生產設備,平均一台0.18微米光罩設備價格為新台幣3億元,0.13微米光罩設備價格高達新台幣4億元,設備每月折舊率為新台幣600萬元,都是相當可怕的數字。


搶攻前的準備

光罩代工廠為搶進0.13微米市場,均積極採購0.13微米製程用之雷射、E-beam設備,以便來日景氣復甦時,能有承接大量訂單的能力。依光罩設備來看,由於雷射設備之專利權為美商所掌握,大多光罩廠皆採用美商ETEC雷射機;至於E-beam機台,由於日本製的E-beam之生產速度較快,所以廠商多用日商如Hitachi及JEOL。


由於設備價格非常高昂,急於搶占市場的光罩廠,若在景氣不佳時堅持擴充產能,其燒錢速度相當快,同時提高經營風險,都是相當危險的事。某家光罩廠就曾因今年景氣不佳,忍不住對媒體要求聲援,希望能透過媒體向上游晶圓廠要求多多下單,否則在現有設備折舊攤提的壓力下,光罩廠的成本回收期勢必將延長更久。


結論

隨著黃光技術的發展,業者對於NGL(Next General Lithography)也抱持不同的態度。不過就目前所知,大多業者仍看好EUV的157奈米,並預計157奈米可以取代193奈米,成為新一代的光罩技術主流。然而157奈米不光只有光阻問題有待克服,目前已有許多業者利用248奈米搭配OPC或PSM,以延長248奈米技術的壽命,加上193奈米也開始搭配PSM,除非157奈米能創造出新的經濟規模,否則很難真正取代193奈米。


黃光技術發展上,X-光的發展,也成為業者的笑話之一。猶記曾有一位業者表示,二十年前X-光是萬眾囑目的NGL,二十年後它還是研發中的NGL,能否成為真正的NGL相當令人質疑。當然,不能否定的是學者專家及業者對X-光的努力,但X-光的發展的確嚴重延遲,其高能量、高成本、低產出等問題一直無法獲得解決,因此是否還有研究的價值,值得業界深思。


另外,今年正逢不景氣的半導體產業,光罩廠為力拼高檔光罩市場,台灣光罩、翔準、中華杜邦等仍瘋狂的搶購生產設備。到目前為止,台灣光罩已對外宣布暫停引進設備,但翔準及中華杜邦仍不間歇繼續擴產,因此在此時到底要不要擴充產能,已成為光罩廠矛盾的心結。0.13微米光罩市場雖是塊大餅,但仍存有許多技術面及市場面問題,都需要廠商一一克服,所以究竟是誰能占盡市場商機,就待這波景氣復甦時見分曉了。


相關文章
AI高齡照護技術前瞻 以科技力解決社會難題
3D IC 設計入門:探尋半導體先進封裝的未來
SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
CAD/CAM軟體無縫加值協作
comments powered by Disqus
相關討論
  相關新聞
» 應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式
» SEMI:2024年Q3矽晶圓出貨量增6% 終端應用發展冷熱不均
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.135.189.25
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw