為了使現代電源更緊湊和高效，電源設計人員越來越傾向選用高頻應用。開關電源採用高頻工作可以縮小變壓器的尺寸，進而增加電源的功率密度。高頻工作也有助於改善電源的電磁干擾（Electro-Magnetic Interference；EMI）訊號，減少EMI元件數。因此，世界各地的電源設計人員都在研究高頻應用。

然而，在實現高頻電源方面存在一些障礙。功率開關、變壓器鐵芯材料、漏電損耗和開關損耗是阻礙大規模應用高頻電源的一些障礙。隨著氮化鎵（GaN）/碳化矽（SiC）技術的出現和MOSFET技術的不斷發展，功率開關似乎開始適用於高頻電源。同樣，變壓器鐵芯材料製造商也在不懈地努力創新高頻鐵芯材料。

零電壓開關（Zero voltage switching ；ZVS）拓撲可以減少與功率開關相關的開關損耗。常用的ZVS拓撲如LLC、半橋轉換器、全橋轉換器、主動鉗位返馳式、雙開關順向式轉換器等。需要低、高端驅動器來實現緩衝和電平位移的功能。這些元件可以驅動高端MOSFET的門極，其原始節點為動態變化的節點。
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