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使用SiC技術攻克汽車挑戰
WInSiC4AP:採用SiC寬帶隙創新技術開發先進功率元件

【作者: 意法半導體】   2019年01月07日 星期一

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在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援,實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補的研發活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭,20個專案合作成員將在技術研究、製程、封裝測試和應用展開為期36個月的研發合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關內容,並聚焦在有關SiC技術和封裝的創新。


WInSiC4AP聯盟由來自4個歐盟國家(意大利、法國、德國和捷克共和國)的20個合作夥伴組成,包括大型企業、中小型企業、大學院校和政府科研機構。在這種背景下,企業(汽車製造、航空電子設備、鐵路和國防)和垂直產業鏈(半導體供應商,電感器和電容器廠商)以及學術機構和研究實驗室將合作設計解決方案,解決技術難題,分享專有知識,同時也可能出現無法預料的結果。WInSiC4AP的核心目標是為高效能、高成本效益的目標開發可靠的技術模組,以解決社會問題,同時克服歐洲在其已處於世界領先水平之細分市場以及汽車、航空電子、鐵路和國防領域所面臨的技術挑戰。
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