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使用SiC技术攻克汽车挑战
WInSiC4AP:采用SiC宽带隙创新技术开发先进功率元件

【作者: 意法半導體】2019年01月07日 星期一

浏览人次:【12898】


在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU的WInSiC4AP专案所要达成的目标之一。 ECSEL JU和ESI携手为该专案提供资金支援,实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牵头,20个专案合作成员将在技术研究、制程、封装测试和应用展开为期36个月的研发合作。本文将讨论本专案中与车用电子的相关内容,并聚焦在有关SiC技术和封装的创新。


WInSiC4AP联盟由来自4个欧盟国家(意大利、法国、德国和捷克共和国)的20个合作伙伴组成,包括大型企业、中小型企业、大学院校和政府科研机构。在这种背景下,企业(汽车制造、航空电子设备、铁路和国防)和垂直产业链(半导体供应商,电感器和电容器厂商)以及学术机构和研究实验室将合作设计解决方案,解决技术难题,分享专有知识,同时也可能出现无法预料的结果。WInSiC4AP的核心目标是为高效能、高成本效益的目标开发可靠的技术模组,以解决社会问题,同时克服欧洲在其已处于世界领先水平之细分市场以及汽车、航空电子、铁路和国防领域所面临的技术挑战。
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