三星电子（Samsung）自1983年成功开发64K DRAM而震惊业界以来，即不断锐意精进，大幅增加对设备及研发的投资，以取得最新的生产技术并拉大与对手差距。目前其在全球半导体制造商中排名第二，仅次于Intel，在DRAM（28％）、SRAM（32.5％）、NAND型Flash（65％）的市占率均维持世界第一。展望未来，Samsung将以记忆体、非记忆体晶片、系统LSI与LCD等关键零组件的竞争力为根基，扩大行动电话与数位电视等的版图，并以此为基础，强化行动网路（MobileNetwork ）、家庭网路（HomeNetwork）与企业网路（OfficeNetwork）事业，并持续蓄积提供系统产品解决方案的事业力量，以借此发展未来事业，因此预期其半导体事业将发挥因应未来市场变化的关键作用。

Samsung半导体发展沿革

南韩半导体产业发展始于1974年，在一位韩裔的美国工程师姜基东的推动下，由南韩的Korea Engineeringand Manufacturing与美国的Integrated Circuits International合资成立韩国半导体（Korea Semiconductor），韩、美双方各持股一半，后由Samsung陆续于1975年及1978年分别买下韩方及美方的各50％股权，使该公司成为Samsung子公司，并改名为「三星半导体通信公司」，初期以生产电子表、微波炉、计算机等使用的IC为主，1978年开发出线型IC的技术，1983年2月正式宣布进军半导体产业后，即于是年12月成功开发出64K DRAM而震惊业界，此后即不断大举投资以扩充产能，取得最新的生产技术，与美日先进业者的技术差距也由初期的4.5年，逐步缩短至半年，如(图一)，甚至从1992年领先日本业者率先开发出64M DRAM，到2001年2月发表4G DRAM为止，10年期间历经四代，未曾让出龙头宝座。

《图一 Samsung的DRAM技术发展历程》 数据源：Samsung；拓墣产业研究所整理（2003/09）

Samsung自1980年代初期即将主力产品设定为DRAM，自Sharp与Micron等引进技术后，即大力投入DRAM开发，即便于1985年、1987年陆续遭遇全球性半导体景气低迷，Samsung仍持续投资于256K（于1985年开始量产）及1M DRAM的技术开发，1988年适逢半导体产业景气复苏，Samsung即因设备投资已完成，而顺利进入1M DRAM量产；1990年Samsung开始量产4M DRAM，并取得市场的领先地位；1993年则首度超越NEC，赢得全球DRAM产量第一的宝座。

1997年南韩遭遇严重的金融危机，Samsung在南韩政府强力的要求下，进行大幅度的改革与重整，由于资金取得困难，加上全球半导体市场仍不景气，使其投资脚步放缓，但随着1999年半导体景气的复苏及DRAM价格大涨，使得Samsung大幅获利，并大幅增加对设备及研发的投资。历经金融风暴的洗礼使得Samsung的体质更加健全，加上幸运地碰到半导体的景气复苏，让该公司得以稍加喘息，并透过设备投资能力的增加，坚持在景气萧条时进行支出规划，以持续从事先行研发的方式保持其技术优势。

与国外厂商策略联盟引进技术

随着Samsung登上记忆体技术的领先地位，也为其与国外的竞争对手进行策略联盟开启了新的机遇，在DRAM方面，由于Samsung技术能力最强，因此较有对等合作的策略联盟，例如与NEC交换256M DRAM的开发方面的技术资讯；与冲电气合作开发16M SDRAM；与Toshiba合作开发Flash等，在其他方面则大部份是技术引进的案例。如(表一)。

由于DRAM受景气波动的影响极大，因此为了降低记忆体的比率，Samsung自1999年起积极自海外引进非记忆体的技术，例如收购美国HMS（Harris Microwave Semiconductor）和ISD（Information Storage Device）公司合作开发声音讯号IC，自ARM（英）引进RISC技术，自Digital Equipment （美）引进64位元微处理器技术，自意法微电子（STMicroelectronics）引进DSP技术，自Sun Microsystem（美）引进Java微处理器技术，并开发CDMA通讯方面的系统LSI，希望能增加系统LSI的生产技术，提高这方面的生产比重，达成记忆体与非记忆体并驾齐驱的地步。

Samsung半导体发展现况与市场布局

根据Gartner最新报告显示，2003年全球半导体市场规模估计约为1750亿美元，较2002年成长11.8％；市场上明显出现工厂产能利用率提高，存货水准下跌的现象。不过对于个别厂商而言可说是几家欢乐几家愁。若以营收排名，英特尔（Intel）仍然是全球半导体市场的盟主，占有16％的市场；这也是该公司连续第12年稳坐龙头厂商宝座。 Samsung居次，排名第三位的是由Hitachi与Mitsubishi Electric携手成立的瑞萨半导体（Renesas）；如(表二)。以产品别而言，在Flash与DRAM方面，曝光度较高的业者景况较佳，与2001及2002年景况惨淡的情况不可同日而语。

DRAM市场:固守霸主地位 强化攻略DDR2市场

2003年Samsung半导体的出口规模约达100亿美元，2004年在全球IT景气复苏的带动下，预期出口规模将可创下历年新高记录。在DRAM市场方面，2003年Samsung仍称霸全球，全球市占率达28.1％，不过却呈现2.3％的负成长，如(表三)，此乃因2003年10月以来，DRAM价格因市场需求未见增温而下跌，而NAND型Flash则因缺货价格飙涨，在制程可以互换的情形下，Samsung陆续转拨产能投入NAND型Flash市场，而此一动作也削减了DRAM产能，2003年Samsung的DRAM位元成长率即仅达30％。

展望2004年，Samsung计划在DRAM市场固守霸主地位，以优势的技术力为基础，及早开发新一代记忆体半导体，并导入量产。此外，基于既有DDR产品中，高附加价​​值产品－－「DDR400」占整体DRAM中的比重已在去年底超过80％，而目前DDR333与DDR400的溢价降低到10％左右，显示DDR400产品已成市场主力，Samsung认为DDR产品的第一阶段升级已告一段落。基此，Samsung除将以之为主力产品外，并将逐步强化对DDR2市场的攻掠。

Samsung自2003年3月开始投产DDR2 512M与1G模组产品，基于预期Intel将在2004年第一季推出支援DDR2的晶片组，有助于DDR2 DRAM市场的成形，Samsung计划自2004年开始扩大DDR2 512M与1G模组产品的生产规模。在2003年初时，Samsung的DRAM产量中，仍以DDR266与DDR333为主，DDR400占有的比重还不到50％。然在2003年第三季时，为加速主力产品的转换，Samsung将DDR400的溢价由第二季的30％左右降低到15％左右，又在第四季降低到10％的水准。尽管2003年DDR2在整体DRAM中占有的比重极微，然基于策略性考量，Samsung将在2004年大幅扩增DDR2的生产比重，以借此将产品加速转换到高附加价值产品。

Flash争霸战：2006年称霸全球Flash市场

Samsung除持续称霸DRAM、SRAM市场外，近来在Flash产品方面亦锐意精进，销售成绩大幅上扬，2003年其成长率大约是整体市场的两倍之多，由于NAND型Flash的平均售价较高，因此Samsung也将部份DRAM产能移转给NAND型Flash，而其与Intel之间的差距也日益缩短。根据iSuppli公布的统计数据，2003年第三季Samsung在Flash领域的销售额达6.15亿美元，并以20％的市占率居首，首度超越Intel。iSuppli并预估NAND型Flash市场规模将由2003年的38亿美元，快速扩大到2005年的65亿美元（年增72.2％），而Samsung则可望在2006年，全面超越Intel称霸全球Flash市场。

Intel与Samsung主打的Flash晶片规格并不相同，Intel主推NOR型Flash，Samsung则是NAND型Flash；NOR型与NAND型Flash两者间的差别如(表四)所示。目前NOR型Flash市场由Intel和AMD主导，NAND型 Flash则由Samsung和Toshiba合计占有80％的市场，其中Samsung的全球市占率更高达65％以上。

由于NAND型Flash写入资料速度较快，且储存相同资料的价格只有NOR型Flash的1/3，因此近来普遍受到数位相机业者爱用，以纪录影像资料。而NAND型Flash市场的快速成长，也带动Samsung销售成长。虽然Intel对NOR型Flash市场仍抱持相当乐观的态度，并认为未来NOR型Flash仍将是手机内建晶片的主流。但目前有越来越多的手机业者将NAND型Flash内建于其高档的手机产品，并且研发外加的储存媒体，甚至有厂商尝试将NOR型Flash的功能整合到NAND型Flash，随着NAND型Flash逐步侵入NOR型Flash的固有应用市场，其长期的利基不免令人忧心。

而Samsung除了在NAND型Flash市场大有斩获外，甚至还提供客户NOR型Flash，以达到挖对手墙角来扩张市占率的目的，其中包括Intel的大客户Nokia也在拢络的范围，此举对Intel而言更如芒刺在背。尽管目前NOR型Flash市场规模仍大于NAND型Flash，然由于需求大容量数据储存的数位、Mobile产品市场快速扩大，将带动NAND型Flash的需求激增，预期到2006年时，NAND型产品在整体Flash市场中占有的比重，将由2004年的34.1％提高到54.1％，并超越NOR型产品；NOR型产品占有的比重则将由2004年的65.9％降低到45.9％。

虽然Micron与Hynix等业者因NAND型Flash的需求大幅增加，而拟加入此一市场竞逐，但预期上述公司要在此一领域步入正轨尚需费时一两年。届时Flash价格将下滑，​​要赶上生产效能居于领先的Samsung将极困难，而且Samsung与Toshiba仍掌握核心制程​​技术，因此，短时间内后进者对市场及价格应不会有太大影响，加上后进者初期也仅能在低容量部份着墨，届时Samsung与Toshiba早已继续升级至量产更高容量领域的产品，因此其霸主地位不易憾动，预估该市场未来3～5年仍将由Samsung与Toshiba所寡占。

积极开发大容量NAND型Flash产品抢攻行动装置市场

Samsung已于2003年9月率先开发出采用70奈米制程的4Giga NAND型Flash，并在2003年12月率先推出记忆体产品中容量最大的8Giga NAND型Flash，将以此主攻需求大容量记忆体的数位相机、手机、USB随身碟、PDA与MP3播放机等Mobile产品市场。 Samsung此次推出的8G产品，系采用其自行开发的4段积层封装技术，将4颗同样大小的2 G NAND Flash积层于单一封装（厚度1.2㎜）。同时，使用于8G NAND Flash的2G NAND Flash系采用SLC（Single Level Cell）技术，而非大部分业者采用的MLC（Multi Level Cell），在速度与耐久性上优于采用MLC技术的产品。

藉由此一产品的推出，Samsung将具备2G NAND型Flash单品、积层两颗2G晶片的4G产品，以及积层4颗2G晶片的8G产品等多样化Flash产品群，并可更加弹性因应最近快速成长的大容量、超高速NAND型Flash市场需求。 Samsung并已于2003年第三季启用12吋晶圆专用厂「Fab12」，用于生产Flash与DRAM，进一步强化居于领先的技术能力与量产能力，预期未来其Flash的出口将大幅增加，并与DRAM并列其两大出口产品。

资本支出：半导体景气复苏　Samsung资本支出再登顶峰

Samsung将在2004年第一季与第二季大举进行投资，预期2004年的总投资额将达5兆韩元（约42亿美元），约较2003年的4.2兆韩元（不含LCD领域）增加20％。此外半导体产业若因PC换机潮与奥运等因素而持续成长，Samsung将在下半年调整投资计画，因此预估其2004年的整体设备投资规模有可能超过5兆韩元。

Samsung将针对12吋晶圆厂进行大规模投资，计划于华城Fab12厂的Phase2（第二阶段）与Phase3（第三阶段）建构上，投资3兆韩元（约25.1亿美元），并在Fab13新厂投资1兆韩元（约8.4亿美元）左右，以借此大幅扩增12吋晶圆产能，预期到2004年年底时，Samsung的12吋晶圆加工能力，将由目前的每月2.5万片（Fab11厂MPS Line的1万片加上Fab12厂Phase1的1.5万片）大幅扩增到每月7.4～7.7万片，增加约三倍，并成为全球最大的12吋晶圆制造业者。

由于12吋晶圆厂的晶片产量较8吋晶圆厂约高出2.25倍，且良率提高40％以上，因此Samsung将藉由12吋厂的产能扩充，稳占全球30％的DRAM市场，并巩固市场主导权。目前Samsung预定在2004年第一季季底前，完成每月可加工处理1.3万片12吋晶圆的Fab12厂Phase2的建构作业。同时，在2004年2月中旬左右，完成每月可加工处理1~1.3万片12吋晶圆的Fab13厂Phase1的设备投资与设备Set-up，并在2004年第二季开始启用。

至于Fab12厂Phase3，Samsung计划在2004年4月或5月完成设备Set-up，Phase3将具备至少1.3万片的12吋晶圆月处理能力。此外，Samsung还计划在2004年7月进行Fab13厂Phase2的投资，推估Fab13厂Phase2的12吋晶圆月处理能力约1.3万片。预期2004年Samsung的记忆体产量（以128M为基准），将由2002年的12亿颗左右，以及2003年的17亿颗左右，大幅扩增到25亿颗左右，并可望在2004年持续称霸全球DRAM、SRAM与Flash市场。

Samsung并计划在南韩政府容许企业于首都圈增设工厂的2004年1月起，分阶段扩建华城半导体厂区Fab14厂与Fab15厂，并投入4000到5000亿韩元（约3.3～4.2亿美元）进行相关基础工事。 Samsung计划将华城半导体厂的厂区由30万坪扩增到47万坪，并在2010年之前总计投资600亿美元，以借此将目前已完工及兴建中的6条生产线倍增到12条，目的在于将华城半导体厂培植为全球性记忆体生产基地。预估在完成上述扩厂目标后，华城半导体厂的年出口额将达750亿美元。至于现有生产线的升级上，也将投入5千到6千亿韩元（约4.2～5亿美元）资金。另外，为强化非记忆体晶片事业，Samsung还计划在器兴厂Fab8与Fab9厂旁，建构系统LSI专用12吋晶圆生产线。

市场策略：2004年主攻中国大陆市场

根据Dataquest的预估，预期到2005年时，中国大陆半导体市场规模将由2003年的284亿美元快速成长到467亿美元。由于中国大陆市场快速扩大，且需求逐步由低附加值产品转向高附加值与尖端产品，因此2004年Samsung将以扩大出口市场及新一代产品，在全球市场一争胜负，并以攻掠中国大陆市场为胜负关键；Samsung大陆市场布局如(图二)。

Samsung计划在2006年之前，将其称霸中国大陆市场的产品，由目前的SRAM、DDI（显示器驱动晶片）、VCD晶片与笔记型电脑用LCD等四项大幅扩增到18项，并将其在中国大陆的半导体领域销售额提高到50亿美元以上，亦即较去年的16亿美元增加3倍以上。同时将积极强化、扩大其在中国大陆的研发、生产与行销。Samsung半导体部门总经理李润雨表示，Samsung将强化半导体与TFT-LCD产品在中国大陆的开发、生产与行销，并跃升为在中国大陆最受信赖的数位企业，李润雨认为，Samsung在中国大陆扩大半导体事业，将会是引领Samsung半导体与LCD事业迈向新阶段的一大契机。

Samsung于2003年12月在中国苏州举行半导体厂（SESS）第三生产线的竣工仪式，并启用中国半导体研究所（SSCR）。基此，除记忆体组装厂（苏州）与销售据点（北京、上海）外，Samsung在中国大陆市场亦将具备研发中心，此举将有助于Samsung抢占中国大陆半导体市场先机。此次启用的记忆体专用第三生产线，主要用于组装生产256M以上的大容量DRAM及Flash与SRAM等记忆体，该生产线到2004年年底时将具备4千万个以上的记忆体月产能。

Samsung苏州半导体厂第一生产线系在1996年竣工，目前每月组装生产3500万个到4000万个左右的系统晶片（System LSI）；第二生产线则系在去年启用，目前月产200万个到300万个左右的记忆体模组。而设立半导体研究所则是为了因应当地客户需求，开发符合当地市场需求的半导体产品，并借此抢占中国大陆市场先机。除苏州半导体研究所外，Samsung还计划在2004年初于杭州设立第二个半导体研究所。未来苏州研究所将重点研发封装，杭州研究所则将主力研发MCU与Optical SOC等系统解决方案（SI）。

同时Samsung中国大陆半导体研究所计划在2005年之前，聘用140名以上的研发人力，并将与北京大学、清华大学与复旦大学等知名大学进行合作。 Samsung还计划在今年上半年于杭州设立第二个半导体研究所。未来苏州研究所将重点研发新一代封装，杭州研究所则将主力研发MCU。 Samsung今年将正式启动在中国的三大（开发、生产、销售）核心轴，加速扩大其在中国的半导体事业。同时除记忆体与非记忆体半导体外，TFT-LCD部门亦着手进行后续投资。

《图二 Samsung中国市场布局》 数据源：朝鲜日报，2003/12；拓墣产业研究所整理（2004/01）

结论－未来展望

Samsung以半导体的成长为养分，晋升为世界级企业。目前其在半导体领域，正准备进行第二次跃升，计划透过转换过于偏重记忆体的事业结构，达成在记忆体与非记忆体晶片等所有领域称霸全球的目的。

在记忆体事业方面，Samsung的策略为强化Flash、SRAM与复合晶片等事业，以摆脱对价格波动极大的DRAM的过度依赖。同时，决定将DRAM事业的重心，由泛用产品转向高附加价值产品，策略上将增加伺服器、工作站、NB与绘图用高单价产品比重，并朝适用于新一代行动电话、超小型数位相机与客户订制型游戏机等各种产品的「Solution DRAM」发展，计划在2005年时将「Solution DRAM」事业比重拉高到与泛用DRAM相当的水准；如(图三)。

此外，由于预估Flash的年复合成长率将达54％，Samsung计划强化此一领域，以掌握记忆体领域的主导权，并计划在2005年之前，将SRAM与Flash的比重，拉高到整体的50％。

《图三 Samsung内存事业未来发展愿景》 数据源：Samsung；拓墣产业研究所整理（2003/09）

对于将电路线宽微缩到奈米水准的半导体制程技术，以及除矽晶（Silicon）以外，以砷化镓（GaAs）与矽锗（SiGe）等新的半导体为材料的先进半导体的开发，亦正积极促进。目前已确保90奈米核心技术，计划在2004年应用于量产；50奈米以下的技术亦正研发中。同时，于生命工学结合电子技术的生物晶片（Bio-chip），亦将列为未来事业，并在研究单位进行相关技术研发。

在非记忆体事业方面，Samsung为后援数位整合产品的开发，正针对提供解决方案的非记忆体晶片事业，促进强化方案。同时，由于非记忆体晶片市场规模约达记忆体的三倍，未来还有成长空间，价格涨跌亦不若记忆体般激烈，因此，朝此一方向发展，还可降低对记忆体的过度依赖。 Samsung计划在2005年之前，将非记忆体晶片领域的的销售额扩增到50亿美元，并以进入全球前五大为目标。

总言之，Samsung的策略在于以DRAM、SRAM与Flash等记忆体的各种产品组合及市场优势为基础，主导记忆体半导体的标准与价格走向，并以此强化行销，擘画其全球半导体霸主版图。未来Samsung将以优势的技术力为基础，及早开发新一代记忆体半导体并导入量产，以此抢占市场先机；同时，将进一步巩固其在DRAM市场的地位，并维持其在DDR400与DDR2等高速DRAM的市场主导权，藉由高附加值产品的生产与出口，在市场上一争胜负。

（作者任职于拓墣产业研究所）