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Microchip dsPIC33C 應用於SiC 及 GaN之參考設計
 

【作者: 陳建男】   2020年10月26日 星期一

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隨著5G、AI及物聯網世代逐步來臨,以及功率元件碳化矽(Silicon Carbide, SiC)、氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)技術成熟催化之下,高效率、低功耗和高功率密度電源設計需求勢必日益普及。為符合市場需求,Microchip在16位元dsPIC33系列產品不斷開發進步,從最早dsPIC33F單核心數位控制器,至今擴展到dsPIC33CK單核心與dsPIC33CH雙核心數位控制器,為使用者提供多元化選擇。乃至開發工具方面,Microchip提供Digital Power Development Board(DM330029),如(圖一)所示,結合不同型號的Digital Power PIM,如(圖二),可靈活的測試及評估Microchip全系列dsPIC33,加速熟悉dsPIC33與產品開發。



不僅如此,客戶所引頸期盼,針對成熟的SiC和新興的GaN等相關應用,Microchip也推出30kW Vienna 3-Phase Power Factor Correction(PFC)參考設計,除了採用Microchip高效能的SiC功率元件,並在2020年協同Efficient Power Conversion(EPC)和Transphorm合作夥伴分別開發1/16th Brick Power Module和Bridgeless Totem-Pole PFC,其相關介紹如下:
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