在美國持續擴大晶片出口管制、荷蘭加強ASML設備出口限制的壓力下，中國大陸正將光刻機列為半導體產業「卡脖子」環節的首要突破點。2025年，中國光刻技術的進展，特別是193奈米ArF沉浸式DUV機種的開發，成為全球關注焦點。

圖一 : 中國正加速推進國產光刻設備的研製。

根據產業消息，中國正加速推進國產光刻設備的研製。由上海「禹量升」（SiCarrier）與華為系統生態相關的團隊所開發的193奈米ArF浸潤式光刻機，已在中芯國際（SMIC）內部測試階段，目標鎖定28奈米節點。業界分析，若進一步透過多重曝光技術，理論上可延伸至7奈米級，但良率、產能穩定性仍為主要挑戰。這一進展被視為中國首次接近ASML 2000年代中期的沉浸式設備水準，預計最快2027年才可能實現商業量產。

同時，上海微電子（SMEE）持續深耕i-line、KrF與ArF系列光刻設備，雖已具備90奈米至65奈米量產能力，但在28奈米浸潤領域仍處於試製與調校階段。這顯示中國正以多路並進策略，從成熟製程切入，再逐步攻克更高階製程需求。
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