對馬達驅動、不斷電系統、交換式電源、高強度燈管整流器以及感應加熱等電壓轉換應用，絕緣閘雙極電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT）的閘極必須以穩定的開關切換驅動電壓推動，同時需要相對較高的電流等級，以便能夠在導通與關斷狀態間快速切換，這個高電流主要用來進行閘源極以及閘汲極電容的快速充放電。

閘極驅動電路必須由控制電路的3.3V或5.0V邏輯輸出產生能夠讓IGBT導通或關斷的電流，同時還要將低電壓電路與高電壓切換瞬間變換與雜訊隔離，因此市場上就出現了特別針對控制信號介接設計，並提供符合IGBT閘極電容與功率要求輸出的專用型閘極驅動光耦合器產品，在適當設計的應用電路中採用這些產品將可以確保在安全的功率消耗限制條件下動作以達到可靠的運作。閘極驅動光耦合器具備有：

CMR共模拒斥是將輸出維持在正確邏輯狀態下可以承受的最高共模電壓（VCM）變化速度，CMR失效將會造成輸出出現正向或負向脈衝雜訊，這個關鍵規格可以確保在高直流電壓快速切換時可靠的驅動資訊傳遞。
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