IR推出全新30V同步降壓轉換器晶片組

IR推出由IRF6631控制MOSFET及IRF6638同步MOSFET組成的全新30V同步降壓轉換器晶片組；這個組合備有IR的基準DirectFET封裝及雙面冷卻功能，並具備最新的HEXFET MOSFET技術，能在中電流水平(低於18安培)達致高效率及散熱效能。應用包括先進的筆記簿型和桌上型電腦，電訊及數據通訊，以至透過小面積、高效率及改善了的導熱效能來提升功率密度的通用同步降壓設計。

圖一 : 30V同步降壓轉換器晶片組 BigPic:320x200

IR台灣分公司總經理朱文義表示，「全新的DirectFET晶片組，是希望為中間範圍15至18安培功率轉換器應用，尋找十分簡潔兼具切換效率元件之設計人員的極佳選擇。除了在5至8安培範圍內提升效率逾1%，該晶片組也比採用3夥SO-8元件的傳統方式節省佔位面積差不多達50%。」

每項元件皆為實現其在DC-DC降壓轉換器電路上的表現最佳化而設計。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低交換損耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET則能滅少傳導損耗及逆向修復電荷。
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