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美高森美針對大功率收發開關應用最佳化PIN二極體開關元件

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美高森美公司(Microsemi)發佈新型大功率單片式微波表面黏著(MMSM)串-並聯SP2T PIN二極體反射開關MPS2R10-606。這款器件針對磁共振成像(MRI)接收陣列和應答器、軍用、航空航太和航海無線電通訊等應用中高頻(HF)、極高頻(VHF)和超高頻(UHF)的大功率收發組件(T/R)而最佳化。美高森美提供優質PIN二極體產品以克服射頻(RF)電源、小訊號開關和接收器功率受限的嚴苛挑戰,已經累積了五十年的獨特經驗;而MPS2R10-606即充分利用到了此一優勢。


圖一 : 可處理 100 MHz至 1 GHz 的100W 連續波功率之單片式微波表面黏著SP2T開關
圖一 : 可處理 100 MHz至 1 GHz 的100W 連續波功率之單片式微波表面黏著SP2T開關

美高森美新型MPS2R10-606開關提供從100MHz至1 GHz的頻率覆蓋範圍,插入損耗為0.2dB,回波損耗為15dB,而頻帶中心的隔離性能則為55dB。只要利用簡單的類比控制電壓即可讓此器件實現500 奈秒(nS)的開關速度,同時處理高達100 W的連續波(CW)功率。MPS2R10-606採用緊湊的非磁性2.03 mm x 1.27 mm格式供貨,符合EU指令2002/95/EC的危害物質限用指令(RoHS)之要求,並與貼裝和表面黏著技術(SMT)回流焊製造技術完全相容。


美高森美RF/微波離散產品業務部門高級總監兼部門經理Vincent Cannistraro表示:「我們的MRI和通訊射頻客戶需要更高等級的功能整合度,同時還要縮小外形尺寸,從而推動了市場對於具有更高密度、功能性和性能的PIN二極體開關的需求。這款採用緊湊型MMSM封裝尺寸的新型PIN二極體開關技術,是此一領域中的關鍵推動力量;相較於傳統的砷化鎵(GaAs)、金屬半導體場效應電晶體和silicon-on-SOI解決方案,可以實現功率水準更高的設計。」
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