儘管存在於散熱設計計算的典型錯誤會強烈地影響電源元件的接點溫度，而且與失敗率及功率電子系統的可靠度有關，但這些錯誤並沒有正確地被瞭解或透過經驗法則進行測試。由於實際功耗損失波形相當複雜，沒有精確估算的熱阻抗與電阻值會分散在散熱設計的電源元件中，而且會很難量測交換式電源元件之平均晶片面積的接點溫度，而建立在功率級與散熱設計的安全邊緣通常不會處於最佳情況。由於動態負載改變導致操作條件的變動，元件中加熱與冷卻特徵變化的效應將能直接在瞬態模擬期間驗證一個功率MOSFET。

熱系統描述

半導體元件的熱反應對應用設計來說是非常重要的參數。事實上，由於必須對元件施加脈衝，因此是不可能量測到矽晶片接點溫度的。當對矽晶片施加非常短的功率脈衝時，接點將達到極高的溫度值；如此一來，在穩定操作期間內將無法評估熱行為。一般來說，有三種不同的方法可傳播熱，分別為透過對流、輻射與傳導。本文僅探討傳導方式。(圖一)為熱在物理結構中的傳導方式，(圖二)則展示了一個可模擬熱流的等效電路。
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