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Microchip推出3.3 kV SiC MOSFET和SBD 實現高性能與可靠性

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Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合,推出業界最低導通電阻RDS(on)3.3 kV碳化矽MOSFET和市場上最高額定電流的碳化矽SBD,讓設計人員可以充分利用其耐固性、可靠性和性能。


圖一 : Microchip3.3 kV碳化矽SiC功率元件應用圖
圖一 : Microchip3.3 kV碳化矽SiC功率元件應用圖

Microchip擴大的碳化矽產品組合為電氣化交通、可再生能源、航空航太和工業應用的設計人員提供了一套可以開發出更小、更輕和更高效的解決方案的工具。


許多矽基設計在提高效率、降低系統成本和應用創新方面已經達到極限。雖然高壓碳化矽為實現這些目標提供了一種有效的替代方案,但到目前為止,3.3kV碳化矽功率元件的市場供應是有限的。
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