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黃光技術力求突破
迎接0.13微米時代 銅製程新挑戰

【作者: 李志武】   2001年09月01日 星期六

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若有機會置身在晶圓廠中,走過蝕刻(Etch)、爐管(Diffusion)、離子植入(Implant)等製程部門,可能還不會有什麼特別感覺,但是當看到廠房內有一部門,其燈全是黃色燈光,房間內彷彿洗底片之暗房般,而該部門稱之為「黃光」,就不免讓路過的人產生好奇心。


黃光,即是為避免產品曝光,產品在黃光下進行一連串的半導體微影(Lithography)製程動作,目前已有的微影技術為Visible(可見光)、NUV(Near Ultra-Violet,近紫外光)、MUV(Mid UV;中紫外光)、DUV(Deep UV;深紫外光)、VUV(Vacuum UV;真空紫外光)、EUV(Extreme UV;極短紫外光)、X-光等,至於G-line之436奈米以及I-line的365奈米,目前已漸漸為業界所淘汰。


隨著奈米技術出現,黃光在半導體製程中亦顯重要,因此如何利用黃光技術來克服線寬問題,為所有光罩代工廠及晶圓廠的共同目標。不過,目前業界真正能量產的是0.18微米的光罩,0.15微米光罩只有少量產出,0.13微米則是所有光罩代工廠研發進展的共同目標,究竟何時0.13微米才能真正成為光罩主流,仍是未知數。
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