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高突波電流耐受量SiC蕭特基二極體能大幅度改善運轉時效
適合各種電源裝置的PFC電路使用

【作者: ROHM】   2016年06月28日 星期二

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近幾年太陽能發電系統和產業用各種電源裝置、電動汽車、家電等功率電子領域,為了能藉由提升功率轉換效率,進而節能,市場需求效率更高、更好的功率元件。SiC元件的材料物性比傳統的Si元件還要好,已經逐漸為上述應用裝置所採用。尤其是伺服器等須提升電源效率的裝置,電源上使用SiC-SBD產品,就能充分發揮該產品的高速回復特性,運用在PFC電路後,可望進一步提升裝置的效率。而在上述用途之中,最重要的莫過於突波電流的耐受量了。ROHM半導體的SiC-SBD產品進一步擴大應用範圍,採用了新的元件構造,成功研發出最低VF值的特性,同時又具高突波電流耐受量的產品。


圖1
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ROHM半導體針對伺服器和高階電腦等的電源PFC電路,研發出最適合的第3代SiC(Silicon Carbide:碳化矽)蕭特基二極體(以下稱為SiC-SBD)「SCS3系列」。本產品採用全新的構造,保持前代SiC-SBD最小順向電壓(VF=1.35V、攝氏25度),同時又可以確保高突波電流耐受量。如此一來,就能夠運用在伺服器和高階電腦等的電源PFC電路上,進而提升應用裝置的效率。



圖2
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圖3
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技術特色
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