安森美半導體(ON)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極體。這些新的肖特基勢壘二極體採用超小型0201雙矽晶無針腳(DSN2)晶片級封裝，為可攜式電子設計人員提供業界最小的肖特基二極體和同類最佳的空間性能。

圖一 : ON推出4款新的30V肖特基勢壘二極體

這些新的肖特基二極體提供低正向電壓或低反向電流，額定正向電流為100毫安培(mA)或200 mA，其中後者是業界最小巧的額定200 mA元件。這些新的元件為越來越多空間受限的應用解決問題，例如手機、MP3播放器和數位相機等。

NSR0xF30NXT5G元件系列使正向電壓降(Vf)獲得最佳化，在10 mA正向電流時僅為370毫伏(mV)，進一步突顯這系列的先進、高性能規格。NSR0xL30NXT5G元件系列設計用於低反向電流(Ir)，在 10 V反向電壓時僅為0.2微安(µA)，且洩漏電流極低，延長電池使用時間。這兩個系列的元件提供人體模型(HBM) 3B類和機器模型(MM) C類的ESD額定能力及低熱阻抗，為設計工程師解決在小電路板空間中納入越來越多電路的挑戰。這些肖特基二極體符合RoHS指令，工作溫度範圍為–40°C至+125°C，非常適用於嚴苛室內及室外環境中的設備。