富士通開發印刷電路板高容量電容器嵌入技術

富士通研究所成功開發在樹脂材質的印刷電路板中嵌入相對電容率高達400的BaTiO3膜的技術。能夠形成容量密度為300nF/cm2的去耦電容器（Decoupling Capacitor）。過去的技術最高只達到40nF/cm。而除電容器外，還可應用於濾波器和天線等元件。

　在樹脂底板上嵌入電容器等功能的技術，過去除在伺服器底板上應用以外，部分廠商已經將其應用於手機中。這些技術通過在底板中內置薄膜狀材料，或將膏狀材料印上以後進行燒結，來形成電容器。

　　富士通使用將粉末狀材料混入氣體後從噴嘴噴射的粉塵沉積法（AD）來形成陶瓷膜。AD法是日本產業技術綜合研究所開發的技術。底板置於減壓至5Pa左右的真空腔中。將直徑數nm的BaTiO3粉末隨同氧氣以200m/s的速度噴射到底板上，在底板上形成BaTiO3膜，成膜速度為1μm/分。
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