ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗。此次研發的SiC-MOSFET計畫將推出功率模組及離散式封裝產品，目前已建立完備的功率模組產品的量產體制。

產品背景
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