ASIC之0.13成長五成

國家矽導計畫的矽導辦公室與英特爾（Intel）微電子服務事業群（IME），今日於交大共同舉辦前瞻性 ASIC 設計技術論壇，並表示ASIC將快速往深次微米製程技術發展，預計0.13微米於2004年市場將可成長至50％以上。然而深次微米的發展流程遇到瓶頸，使得產業要求改進設計流程的呼聲越來越大。

根據EE Times報載，今年四月EDP-2002（Electronic Design Processes）研討會的出席者一致同意，深次微米的設計流程需要做大翻修（overhual）。San Diego的California大學教授Andrew Kahng表示，這已不是「點」的能力，而是怎樣用「方法」的問題。因此，如何從RTL sign-off、High-level modeling及平台基礎設計著手，是產學業界改進流程的方向之一。

Intel表示，SoC IP將朝策略合作夥伴產業發展，而且IP以可再利用（Reusability）為主要使用方式，IP界面標準需求，如系統標準（SFI、SPI、XAUI、XGMII）OCPIP等等；SoC IP品質標準則以實際電力供給模式、實際元件內接線模式、品質標準及測試標準為依歸。