IR推出高效率150V DirectFET MOSFET

國際整流器公司(IR)推出最新150V DirectFET MOSFET–IRF6643PbF，適用於包括36V至75V通用電訊輸入及48V固定輸入系統等多種運作環境的隔離式DC-DC轉換器。新DirectFET元件結合了IR的DirectFET封裝技術及新一代HEXFET功率MOSFET矽晶體，電流額定可達至35安培，並提供卓越的散熱效能和更高的效率，但佔位面積只與較短小的SO-8封裝相若。

圖一 : 150V DirectFET MOSFET

IR台灣分公司總經理朱文義表示，「IR DirectFET系列的最新元件繼續改善決定功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD效能表現的關鍵參數，所以能把傳導、切換及反向修復損耗降至最低。這些改進使讓元件能在較高的電流量下運作，但同時保留單一MOSFET的小巧體積。」

朱氏續稱，「基於把電路版的面積減少逾50%，現在一枚DirectFET MOSFET可以代替兩枚或三枚SO-8封裝元件。」
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