台积电(TSMC)宣布，该公司率先为客户提供0.18微米混合信号以及射频金氧半导体(mixed signal/RF CMOS)制程。台积电表示，其实该公司之混合信号(mixed mode)制程早已为客户量产多时，此次再成功结合射频CMOS制程，除了第一个商品化产品预计于今年9月上市外，初期测试芯片已经成功嵌入了频率高达2.4GHz之电压控制振荡器(VCO)及低噪声放大器(LNA)。

台积电指出，为了提供客户更好的混合信号以及射频CMOS产品设计服务，该公司同时发表了全套的设计工具，其中包含了完整的组件相关数据库、设计准则、基频与射频的电路模型等。透过这些可即取即用且准确有效的组件数据库与模型，可以让客户大幅缩减产品设计所需之时程，在通讯及消费整合集成电路产品市场中大显身手。

台积电市场营销副总经理鲍利迈(Mike Pawlik)指出，通讯市场正快速成长，若要在高附加价值产品的应用上不断创新，先进的制程不可或缺。台积电在专业晶圆制造服务业界居领导地位，制程技术亦领先其他公司，此次率先提供客户使用0.18微米混合信号以及射频CMOS制程，即是为通讯应用产品的发展建构绝佳的平台。鲍利迈进一步指出，台积电推出完整的设计组件数据库，简化客户从设计概念到芯片产品推出之流程，并加速产品开发的时效；依产品设计的不同，约可缩短3至6个月的设计时程。

台积电表示，该公司开发混合信号 以及射频CMOS制程，系着眼于新世代变换快速的通讯市场，希望满足客户多样化的需求。采用台积电0.18微米混合信号以及射频CMOS制程，可增进产品效能，而且成本远较BiCMOS及砷化镓之制程为低。此外，台积电的混合信号以及射频CMOS制程涵盖多项通讯产品的应用，包括开关(switch)、无线电收发器、随选视频转换器(set-top box, STB)及新近发展的蓝芽(Bluetooth)技术相关产品等。