半导体制造与晶圆级封装设备供应商盛美半导体近日发布了高速铜电镀技术，适用於盛美的电镀设备ECP ap，支援铜，镍(Ni)和锡银(SnAg)电镀的互连铜凸点、重布线层和锡银电镀，还有高密度扇出(HDFO)先进封装产品的翘曲晶圆、铜、镍、锡银和金电镀。新型的高速镀铜技术使镀铜腔在电镀过程中实现更强的品质传递。

根据Mordor Intelligence的报告，扇出型封装市场在2021年到2026年的预期复合年增长率(CAGR)可达到18%。而扇出技术的普及，主要归因於成本，可靠性和客户采纳。扇出型封装比传统的倒装晶片封装薄约20％以上，满足了外形纤薄的智慧手机对晶片的要求。

盛美半导体设备董事长王晖表示：「3D电镀应用最主要的挑战之一就是，在深度超过200微米的深通孔或沟槽中做电镀金属膜时，需要保持高速和更好的均一性。有史以来，以高电镀率对凸点进行铜电镀会遇到传质限制，导致沉积速率降低，并产生不均匀的凸点顶部轮廓。我们新研发出的高速电镀技术可以解决传质的难题，获得更好的凸点顶部轮廓，还能在保持高产能的同时提升高度均一性，使盛美的电镀铜技术进入全球第一梯队。」

盛美半导体设备的高速电镀技术可以在沉积铜覆膜时增强铜组阳离子的品质传递，并以相同的电镀率在整个晶圆上覆盖所有的凸点，这就可以在高速电镀的时候，使晶圆内部和晶片内部实现更好的均一性。使用该项技术处理的晶圆在相同电镀速率下，比使用其他方法的效果有明显的提高，可实现3％以下的晶圆级均一性，同时还能保证更好的共面性能和更高的产能。

盛美半导体设备已於2020年12月为其ECP ap系统升级了高速电镀技术，并收到了第一笔配置高速电镀技术的设备订单，该设备本月下旬将被送到一家重要的中国先进封装测试工厂进行装机并验证。