半導體製造與晶圓級封裝設備供應商盛美半導體近日發佈了高速銅電鍍技術，適用於盛美的電鍍設備ECP ap，支援銅，鎳(Ni)和錫銀(SnAg)電鍍的互連銅凸點、重佈線層和錫銀電鍍，還有高密度扇出(HDFO)先進封裝產品的翹曲晶圓、銅、鎳、錫銀和金電鍍。新型的高速鍍銅技術使鍍銅腔在電鍍過程中實現更強的品質傳遞。

根據Mordor Intelligence的報告，扇出型封裝市場在2021年到2026年的預期複合年增長率(CAGR)可達到18%。而扇出技術的普及，主要歸因於成本，可靠性和客戶採納。扇出型封裝比傳統的倒裝晶片封裝薄約20％以上，滿足了外形纖薄的智慧手機對晶片的要求。

盛美半導體設備董事長王暉表示：「3D電鍍應用最主要的挑戰之一就是，在深度超過200微米的深通孔或溝槽中做電鍍金屬膜時，需要保持高速和更好的均一性。有史以來，以高電鍍率對凸點進行銅電鍍會遇到傳質限制，導致沉積速率降低，並產生不均勻的凸點頂部輪廓。我們新研發出的高速電鍍技術可以解決傳質的難題，獲得更好的凸點頂部輪廓，還能在保持高產能的同時提升高度均一性，使盛美的電鍍銅技術進入全球第一梯隊。」

盛美半導體設備的高速電鍍技術可以在沉積銅覆膜時增強銅組陽離子的品質傳遞，並以相同的電鍍率在整個晶圓上覆蓋所有的凸點，這就可以在高速電鍍的時候，使晶圓內部和晶片內部實現更好的均一性。使用該項技術處理的晶圓在相同電鍍速率下，比使用其他方法的效果有明顯的提高，可實現3％以下的晶圓級均一性，同時還能保證更好的共面性能和更高的產能。

盛美半導體設備已於2020年12月為其ECP ap系統升級了高速電鍍技術，並收到了第一筆配置高速電鍍技術的設備訂單，該設備本月下旬將被送到一家重要的中國先進封裝測試工廠進行裝機並驗證。