账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
Flash缺货状况可能持续至2004年Q1
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年08月26日 星期二

浏览人次:【2273】

据经济日报报导,因以闪存(Flash)为主的随身碟、记忆卡及多媒体手机等IA产品第三季需求大增,创见、勤茂、劲永及宇瞻等记忆模块厂商无不磨拳擦掌,迎接旺季来临。而因市场需求提高,市场预料Flash的缺货情况将持续至2004年第一季。

业者指出,NAND型Flash前景看好,目前仅南韩三星及东芝投产,第三季在数字相机、随身碟等记忆卡买盘不断激励下,市场严重缺货,1Gb Flash由5月的16.8美元,跳到21美元,奇货可居。掌握核心制程的南韩三星日前通告国内厂商,表示将切入自有品牌随身碟市场,正式与下游客户竞争。由于1Gb NAND型Flash供不应求,报价于第三季上涨20%,三星强势作风已获得认同。

1Gb Flash目前每颗报价21美元,投产效益较同级DDR产品略高,南韩三星调拨12吋厂,由DRAM转进Flash领域,带不过,随着数字相机、随身碟及IA产品出货增加,NAND型Flash仍供不应求,1GbFlash第三季报价率先调升20%,每颗报价还会上扬,预计缺货状况延续到2004年第一季。

關鍵字: 三星  多次刻录只读存储器 
相关新闻
三星发表ALoP相机技术 让夜拍更清晰、手机更轻薄
Samsung与NTT Docomo合作AI研究 用於下一代行动通讯技术
IDC:2024第一季全球智慧手机出货成长7.8% 三星重返第一
Ansys电源完整性签核方案通过三星 2奈米矽制程技术认证
三星展示MICRO LED电视 模组化设计可依需求客制化
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 挥别制程物理极限 半导体异质整合的创新与机遇
» AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BN3GMZJUSTACUK6
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw