松下电器半导体（PSCS）已与联华电子（UMC）达成一项协议，双方将合作开发新一代40nm 可变电阻式记忆体(ReRAM)的量产制程。

松下电器半导体与联华电子达成协议，双方将合作开发新一代40nm 可变电阻式记忆体(ReRAM)的量产制程。

ReRAM与目前广泛应用的快闪记忆体十分相似，是一种非挥发性记忆体。该元件结构简单，具有高速处理和低功耗的特点。 2013年，PSCS启动了ReRAM的量产，当时采用的是180nm制程，目前公司针对可携式医疗设备等低功耗应用提供8位元单晶片MN101LR系列。之前，PSCS是首家利用40nm制程测试和验证记忆体阵列的高可靠性的公司。

双方商定的合作计画将实现PSCS 40nm ReRAM制程技术与UMC高可靠性CMOS制程技术的整合。随着嵌入式记忆体逐渐替代快闪记忆体，该合作计画将实现一个适用于各种系统元件的ReRAM制程平台，例如，广泛应用于IC卡、穿戴式终端机和物联网设备的系统元件。

PSCS将于2018年交付采用全新40nm制程的样品，届时，其将成为业界首家启动量产的公司。 PSCS和UMC将为世界各地的其他半导体制造商和供应商提供双方联合开发的ReRAM制程平台。

谈到这项合作计画时，PSCS总裁Kazuhiro Koyama表示：「PSCS已在业界率先启动ReRAM的量产，而扩展的制程平台的开发将加速ReRAM的市场占有率，从而有效地帮助公司提供广泛的最佳产品来满足客户需求。」

UMC资深副总裁SC Chien表示：「我们非常高兴与松下达成这一代工协议。我们40nm制程业已证实的可靠性、快速周转时间以及高产量，将为松下的ReRAM带来新的竞争力。随着该产品获得广泛的市场接受度，该制程将使双方实现双赢。我们期待与松下合作，帮助他们实现40nm ReRAM的量产。」