GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semiconductor)，宣布执行一项为期五年的协议，总价值可达5,000万美元。根据该协定，GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX 碳化矽(SiC)材料，用於高增长市场和应用。

GTAT总裁暨首席执行官Greg Knight表示：「我们很高兴与安森美半导体合作，该公司是提供电力电子应用的先进半导体公认全球领袖之一。我们今天的协议有助於解决SiC作为电力电子应用首选半导体基板材料的陡峭增长轨迹。」

安森美半导体全球供应链高级??总裁Brent Wilson表示：「安森美半导体在大批量晶圆生产的40年经验结合GTAT在SiC晶体增长的专知及迅速发展，将创建一个强固、可扩展的供应链，支持活跃的大功率宽能隙市场。我们很高兴与GTAT合作，进一步开发SiC宽能隙材料技术，并增强我们在这快速发展领域的领先地位。」

高增长应用如电动汽车(EV)牵引系统、混合动力和??电式EV、太阳能和能源存储，以及EV充电等都需要并且依赖於高品质、具成本竞争力的SiC材料的稳定供应。 安森美半导体将使用GTAT专有的150mm SiC晶体来制造SiC晶圆，以进一步加速成为SiC供应链中的垂直整合供应商，并维持其世界级的供应。 该协议将促进领先业界的SiC的供应，以帮助工程师解决最独特的设计挑战。