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Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品 (2024.09.26)
先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基柵極二極體（SBD）產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」，適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站，以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統（UPS）等工業設備 |
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工研院攜手大南方產業 搶進功率半導體與氫應用商機 (2024.08.09)
自從3年前（2022）成立了南部產業創新策略辦公室以來，工研院今（9）日再度於台南沙崙綠能科技示範場域舉辦「壯大南方產業 邁向永續淨零產業成果聯合特展及技術論壇」，匯集20位專家的產業洞見與趨勢分析 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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博世2023年度營收、獲利逆勢成長 歸功交通及工業事業群貢獻 (2024.02.07)
即使歷經2023年全球經濟不景氣逆風來襲，根據博世集團今（日）最新宣告該集團不畏挑戰，仍逆勢達成該年度財務目標，總營業額約為916億歐元，實質成長8%；營業利潤率5%，較前一年4.3%微幅成長，合乎預期 |
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英飛凌與Wolfspeed擴展碳化矽6 吋晶圓供應協定 (2024.01.25)
隨著產業供應鏈對碳化矽產品的需求持續增加，英飛凌科技與Wolfspeed 公司共同宣布擴大於 2018 年 2 月所簽署的長期 6 吋碳化 （SiC） 矽晶圓供應協定，並且延長期限。雙方擴展的合作範圍，包括一個多年期的產能預訂協定，進而穩定英飛凌整體供應鏈，以因應汽車、太陽能、電動車應用及儲能系統等領域對於碳化矽半導體需求成長 |
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博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將與博格華納（BWA）合作，為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台 |
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工研院、筑波攜手德山 串起半導體碳化矽產業鏈 (2023.08.15)
全球5G、電動車等產業蔚為趨勢，化合物半導體因具備高功率、高頻且低耗電特色，成為提升產品效率的關鍵材料，其中材料更是半導體前端製程的關鍵！為有效掌握半導體國產化關鍵材料技術 |
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車規碳化矽功率模組—基板和磊晶 (2023.06.27)
本文敘述安森美在碳化矽領域從晶體到系統的全垂直整合供應鏈，並聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模組，以及對兩個碳化矽關鍵的供應鏈基板和磊晶epi進行分析。 |
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三菱電機將建設新晶圓廠 增進SiC率半導體產能 (2023.03.14)
因應快速增長的電動汽車對於碳化矽（SiC）功率半導體需求，三菱電機（Mitsubishi Electric Corporation）宣布，至2026 年 3 月的五年內，將投資計畫增加達到約 2600 億日元，主要用於建設新的晶圓廠增加碳化矽（SiC）功率半導體的產量 |
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英飛凌與Resonac於碳化矽材料領域展開多年期供應及合作協議 (2023.01.30)
英飛凌科技與其碳化矽 (SiC) 供應商擴展合作關係，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協議，以補充並擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作，根據合約內容，Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體 |
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以碳化矽技術牽引逆變器 延展電動車行駛里程 (2022.11.14)
半導體技術革命催生了新的寬能隙元件，例如碳化矽（SiC）MOSFET功率開關，使得消費者對電動車行駛里程的期望，與OEM在成本架構下實現縮小里程之間的差距。 |
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以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。 |
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節能降耗勢在必行 寬能隙半導體發展加速 (2022.07.27)
寬能隙半導體擁有許多優勢，其節能效果非常出色。
碳化矽和氮化鎵兩種技術各有特點，各自的應用情境也有所不同。
寬能隙技術已經催生出一系列相關應用，協助達成碳中和的企業目標 |
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東芝新款碳化矽MOSFET雙模組適用於工業設備 (2022.01.27)
東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成1200V、1700V和3300V元件的陣容 |
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貳陸公司（II-VI）以購併、協議串接垂直供應鏈 (2021.11.22)
美國雷射光學元件設計製造商貳陸公司（II-VI）是全球第一家試製並發表8吋SiC基板的公司，甚至還自行開發SiC長晶等設備。台灣在化合物半導體的應用仍在萌芽階段，初期若也能同步發展設備與製程，將可帶動效益倍增 |
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意法半導體收購Norstel AB 強化碳化矽產業供應鏈 (2021.09.03)
碳化矽（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化矽晶圓的開發，驅使SiC爭奪戰正一觸即發。 |
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碳化矽邁入新時代 ST 25年研發突破技術挑戰 (2021.07.30)
本文探討碳化矽在當今半導體產業中所扮演的角色、碳化矽的研發歷程，以及未來發展方向。以及意法半導體研發碳化矽25年如何克服技術挑戰及創新技術的歷程。 |
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Cree謀轉型發展碳化矽 獨霸SiC晶圓市場 (2021.07.14)
相較於第一代半導體材料的矽（Si）與第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs），碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性 |
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碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術 (2021.06.18)
在化合物半導體材料領域，環球晶在碳化矽晶片領域的專利佈局，著重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技術。唯有掌握關鍵技術、強化供應鏈及提升半導體晶圓地位，才能夠在國際市場上脫穎而出 |
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Cree | Wolfspeed推出X頻段雷達元件系列 提高RF功率性能 (2021.04.20)
碳化矽技術開發大廠Cree | Wolfspeed宣布擴展其無線射頻(RF)解決方案陣容，推出四款新型碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)單晶微波積體電路(MMIC)元件，適用於各種脈衝陣列和X頻段連續波相位陣列應用，包括船載航海雷達、氣象監測雷達和新興的無人機系統雷達 |
