DRAM大厂美光（Micron）宣布，该公司以90奈米制程制造的首款2G NAND型闪存（Flash）产品，已按照规划时程进入量产阶段。该公司切入高容量NAND型Flash领域动作迅速，从初期设计时间到量产在不到两年的时间内就完成。

美光行动装置用内存营销资深主管Achim Hill表示，该公司高容量NAND Flash从初期设计时间，到进入90奈米制程量产，只花了18个月的时间，且为支持客户面尽快量产产品的既定时程，美光也可提供客户所需要的容量、耗电、封装、模块、参考码与控制器兼容性等数据。

据了解，在美光的规划蓝图中，随着制程转进90奈米，以及到72奈米与58奈米节点技术，该公司均将继续支持其客户在下一代产品中所需求的容量、封装、与设备等支持。美光还指出，该公司2G NAND产品已通过许多NAND控制器的认证，与现行2G NAND装置兼容。

市调机构Web-Feet Research分析师Alan Niebel指出，美光高容量NAND Flash不仅在制程转型过程中颇为顺利，亦达到预定量产时程，该公司以获利率较高的高容量NAND型Flash为市场切入点，也能避免与其他业者在低容量市场杀价竞争的窘况。据估计，2005年全球NAND型Flash市场成长率可达24％，产值规模约87亿美元。