联电为增加进入单芯片系统组(SOC)领域胜算，近期规划与联邦半导体结盟，共同跨足磁阻式随机存取内存(MRAM)研发生产，以取得未来SOC核心内存领先地位，超越IBM、摩托罗拉等领先厂商。联电董事长宣明智表示，MRAM是很有潜力内存产品，联邦半导体的研究结果，联电很感兴趣，双方规划合作投产。

IBM与Infineon今年初宣布策略联盟，共同跨足MRAM领域，并发表256Kb MRAM产品，预计2003年投产、2004年可达商品化；联电与IBM等外商有制程协议，为取得MRAM领先技术，规划与联邦半导体合作。联邦半导体是联邦银行转投资的子公司，1Mb MRAM产品已在茂硅量产，第一阶段产出约1.5万片6吋晶圆，近期将办理增资，有意参与的法人包括和信集团、和通创投及工银等。