IBM和美国罗门哈斯（Rohm and Haas）两公司将共同开发用于32～22nm制程的CMP（化学机械研磨）技术。据了解，两公司主要的合作开发技术，在于32～22nm制程下的Cu/低介电率（low-k）绝缘膜的平坦化所需衬垫（Pad）、浆液（Slurry）及调节器（Conditioner）间的相互控制。

此次两公司共同开发技术将在下列地点进行，包括IBM的Yorktown Heights研发设施、UAlbany NanoCollege、以及位于Delaware的Newark，和Arizona Phoenix的罗门哈斯研发设施。

IBM和罗门哈斯还将共同开发行32nm以下的离子注入技术。为此罗门哈斯表示，将在该公司位于Massachusetts Marlborough的技术中心导入高开口数（NA）的液浸曝光设备。