力晶、茂矽及华邦电等记忆体制造厂商近期积极转投资IC设计公司，计画以8吋厂产能跨足非动态随机存取记忆体(DRAM)制造，并借此摆脱代工经营模式，扩大快闪记忆体、LCD驱动IC等产品线，朝单一晶片系统(SOC)厂迈进。

力晶近期积极转投资力旺IC设计公司33%的股权，经营团队拥有多项资料储存快闪记忆体(Data Flash)专利，目前资本额为4亿元，为国内第一家Flash设计公司，预计2001年中旬产品将问世，并运用力晶8吋厂0.18微米制程生产。华邦电除自日本东芝、富士通技术转移DRAM制程外，也不排除代工或移转Flash制程及专利，近日更以支付权利金方式，换取美国SST的Flash制程专利，正式跨足生产高速Flash 。茂矽则是扩充产品线最为积极的DRAM厂，除与日本夏普合资设立敦茂公司之外，更设立专职Flash设计的新茂公司，准备运用茂矽6吋厂及茂德8吋厂产能，同时跨足LCD驱动IC、静态随机存取记忆体(SRAM)及Flash生产。

近两个月64Mb DRAM现货价大跌，使记忆体制造商意识到单一产品的风险性，纷纷以技术转移、承接代工订单及转投资IC设计公司方式，扩充产品线，并借此发展为单一晶片系统组(SOC)厂。