Diodes公司推出一对双N通道增强型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX，为电池充电电路提供精密的双向低损耗开关。新产品的目标终端市场包括智慧型手机、平板电脑、相机和媒体播放器等可携式产品使用的单电芯及双电芯锂电池充电器。

Diodes推出的双N通道增强型MOSFET

DMN2014LHAB及DMN2011UFX为双共汲极配置MOSFET，在启动后可驱动双向电流充电或操作；在关断后则透过防止过度充电或漏电流过量来保护电池。 DMN2014LHAB及DMN2011UFX具有20V的击穿电压额定值，还分别配备少于13mΩ和9.5mΩ的低导通电阻，可在正常操作下降低电池功耗。最高达80A的峰值电流使开关在保护电路启动前就能简单解决短路问题，少于1V的低闸极临限电压则确保元件能够在低至1.8V驱动电压下正常操作。

DMN2014LHAB采用2mm x 3mm DFN2030微型封装，DMN2011UFX则采用2mm x 5mm DFN2050封装，为设计师提供外形小巧的解决方案，从而利用节省下来的空间来存放额外的电芯，并提高电池容量。两款产品均以3,000个为出货批量。 （编辑部陈复霞整理）