日本东北大学电气通信研究所与日立制作所，最近透过自旋电子技术和硅芯片技术，成功开发了运算功能和非挥发性内存功能一体化的芯片。在嵌入MOS晶体管的芯片上，通过层迭自旋电子技术的磁隧道（Magnetic Tunnel Junction；MTJ）组件达到这样的目的。除了能够在芯片上的运算区域与内存区域间高速传送数据之外，还可实现芯片的小型化。

此外，MTJ组件便可达到非挥发性内存性能，因此无需为了保持数据数据而持续通电，如此可将CPU待机状态之耗电量减至零。

据了解，这项研究过程中，日立制作所负责制作硅芯片上的MOS晶体管，东北大学电气通信研究所则负责MTJ组件的层迭。

过去由于CMOS芯片需要另外配备运算电路和内存电路，因此运算与内存间的数据传送会产生延迟现象，并且产生高耗电问题。且由于MOS晶体管本身不具储存功能，因此使用MOS晶体管的内存电路，为了储存数据必须持续供电，导致漏电流与耗电问题产生。

目前透过将运算逻辑和内存紧密配置的Logic in Memory Architecture架构，并把内存改为非挥发性闪存，因此解决了上述的问题。