联电与MoSys近日宣布，联电取得MoSys之1T-SRAM技术的授权，以加强联电现有的IP服务，提供更适合联电制程的记忆体给SoC设计工程师使用。联电并将此高密度（ultra-high density）1T-SRAM记忆体技术客制化，进而提供更多重的选择。

联电市场开发部的副总经理李俊德表示，记忆体在晶片设计成功与否中扮演着重要角色，因为依照记忆体发展，未来将占SoC晶片面积的50％以上，因此联电提供更适于联电制程的记忆体巨集，除了联电目前提供的6T及trench（沟道）记忆体，1T-SRAM将是另一种不同的选择。

SoC嵌入式记忆体供应商MoSys副总经理兼IP部门总经理Mark-Eric Jones先生表示，MoSys很高兴联电采用MoSys技术，且此协议将持续以往双方的合作关系，使联电能直接提供设计支援及服务给客户。 MoSys 提供适合联电0.15微米及0.18微米标准逻辑制程的1T-SRAM记忆体巨集，客户可经由联电的Gold IP program找到合适之技术。