瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布开发新一代矽绝缘栅双极电晶体（Si-IGBT），以提供低功率损耗且小型的封装。针对新一代电动汽车（EV）逆变器的AE5 IGBT将於2023年上半年开始在瑞萨位於日本那??市工厂的200和300毫米产线上生产。此外，为了满足对功率半导体产品不断增长的需求，瑞萨位於日本甲府市工厂新的300毫米功率半导体产线，也将从2024年上半年开始量产。

瑞萨开发新一代Si-IGBT，以提供低功率损耗且小型的封装。瑞萨甲府工厂的新300mm产线将生产新的电源产品

与目前的AE4 IGBT产品相比，AE5制程可降低10%功率损耗，有助於EV开发人员减少电池消耗并增加行驶里程。此外，新产品体积约缩小10%，同时保持高稳健性。瑞萨的新元件通过平衡低功率损耗和稳健性，实现了高水准的IGBT性能。另外，新的IGBT最大限度地减少IGBT之间的叁数变化，为并联运作时提供更高的稳定性，显着提高模组的性能和安全性。这些特点为工程师设计高性能的小型逆变器提供了更大的灵活性。

瑞萨电源系统业务部??总裁小西 胜也表示：「随着EV的普及，对车用功率半导体的需求迅速增加。瑞萨的IGBT提供高可靠且强健的电源解决方案，这些解决方案基於我们过去这七年来在车规级电源产品的制造经验。随着最新元件即将量产，我们将为未来快速成长的中阶EV逆变器提供最隹功能和性价比。」

在EV中，驱动车辆的马达由逆变器控制，而IGBT等切换元件对於最小化EV的功耗至关重要，因为逆变器将直流电转换为电动汽车马达所需的交流电。为了协助开发人员，瑞萨提供xEV逆变器叁考解决方案，这是可直接使用的硬体叁考设计，结合IGBT、微控制器、电源管理IC（PMIC）、栅极驱动器IC和快速恢复二极体（FRD）。瑞萨亦提供xEV逆变器套件，为实际的硬体套件。

此外，瑞萨也有马达叁数校正工具和xEV逆变器应用模型和软体，结合用於控制马达的应用模型和范例软体。这些工具和支援计画都能帮助客户简化软体开发工作。瑞萨预计将新一代IGBT添加到这些软硬体开发套件中，以在更小的空间内实现更高的功率效率和性能。瑞萨现可提供750V耐压（300A）样品，之後将发表其他版本。

产品特色

● 针对400-800V逆变器的四种产品：750V耐压（220A和300A）和1200V耐压（150A和200A）。

● 在-40。C至175。C的接面温度（Tj）范围内提供稳定的性能。

● 导通电压Vce（饱和电压）为1.3V，这是最小化功率损耗的关键。

● 与传统产品相比，电流密度提高10%，小晶片尺寸（100mm²/300A）针对低功耗和高输入电阻进行了最隹化。

● 将VGE（off）的叁数变化降低至±0.5V，实现稳定的并联运作。

● 保持反向偏置安全工作区（RBSOA），在175。C接面温度下最大Ic电流脉冲为600A，在400V下具有4μs的高度稳健短路耐受时间。

● 栅极电阻（Rg）的温度依赖性降低50%。这最大限度地减少高温下的切换损耗、低温下的尖峰电压和短路耐受时间，支援高性能设计。

● 可提供裸晶（晶圆）。

● 能够降低逆变器功率损耗，在相同电流密度下与目前的AE4制程相比，效能提高6%，进而使EV能够行驶更远的距离及使用更少的电池。