内存领导厂美光(Micron)10日在台举行的「Memory Day」上表示,将持续在NAND内存制程上取得领先地位,除了提供目前已量产的50奈米产品外,并预计在今年第4季时,把34奈米制程的高容量NAND内存芯片推向市场。
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美光内存系统发展副总裁Dean Klein(左)与NAND产品营销发展处长Kevin Kilbuck |
此次的Memory Day是美光第一次在台湾所举办,会中除了正式向台湾各界简介美光的企业背景与技术演进外,也发表其目前正积极扩展的NAND内存业务蓝图,其中SSD的应用市场将是经营重点。
美光内存系统发展副总裁Dean Klein表示,在NAND内存市场中,美光虽然起步较晚,至2004年才推出第一个产品,但第一个产品便是当时最先进的90奈米2GB的芯片,而后续推出的产品也同样在制程与容量上领先。而自今年6月份,美光已开始向业界提供最先进的34奈米制程的32GB NAND芯片样本。
Klein指出,美光在半导体生产上具有非常深厚的实力,在研究机关Patent Board的半导体专利积分评比上排名第二,仅次于Intel。目前美光也与英特尔积极合作发展高速NAND芯片技术(High-Sped SLC NAND),该技术将会随着34奈米产品的推出,应用在美光全线的NAND产品上。
美光NAND产品营销发展处长Kevin Kilbuck表示,美光将会持续在制程技术上领导市场。目前的单晶(Monolithic)50奈米产品已有采用MLC技术的8/16 GB产品、1/2/4GB使用SLC技术的芯片,以及8GB采用HS SLC产品;今年第4季之后,将会开始供应34奈米制程16GB的SLC芯片,以及32GB的MLC芯片;至2009年到2010年时,则会推出30奈米以下,容量高达32GB(SLC)及64GB(MLC)芯片。
而在应用市场上,美光也看好持续高涨的行动储存需求,以及目前火热的SSD。针对这两个市场,美光也推出了相对应的集成产品「e-MMC」与「real SSD」。Klein表示,SSD具有极佳的应用效能,将会逐便进入企业、工业、网通及NB市场中。