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格棋化合物半導體掌握碳化矽晶體成長技術 完成A輪募資新台幣15億元整
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2023年10月24日 星期二

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掌握碳化矽(SiC)單晶晶體成長技術、同時具備6吋和8吋晶體製程能力的新創公司格棋化合物半導體股份有限公司(GCCS)宣佈,近期成功完成新台幣15億元的A輪募資,並將持續投資先進晶體研發與製程優化技術。格棋化合物半導體位於桃園的6吋產線已開始小規模試量產,目前正積極尋找新廠房土地,預計明年將展開大量生產。

格棋化合物半導體成立於2022年,擁有自主先進研發團隊,其獨特長晶工藝與量產能力,可協助客戶打造兼具高效能與高可靠性的碳化矽晶片,搶攻未來市場龐大商機。

格棋化合物半導體為專業碳化矽晶體(Ingot)與晶圓(Wafer)供應商,長期關注第三代化合物半導體的市場發展和工藝技術開發,團隊成員在此領域擁有超過10年經驗,特別是晶體生長和熱場設計,出色的專業技術能力深獲業界肯定,成立至今成功吸引投資人的目光,近期剛完成新台幣15億元的A輪募資。格棋化合物半導體目前積極與國內知名半導體材料業者聯繫提出合作,未來將善用技術優勢,搶攻第三代半導體龐大商機。

在製程領域,格棋化合物半導體團隊深耕晶體成長工藝技術,目前已具備6吋N-type晶體的量產製程能力,並已於2023年5月成功開發出8吋N-type晶體以及6吋半絕緣晶體。團隊專攻以物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport, PVT)長晶技術所製造出的碳化矽單晶產品,其品質更高、缺陷密度更低,運作也更穩定。

近期6吋N-type晶體產線已達良率,開始進入小規模試量產階段。除了長晶技術之外,公司同時還具備有切磨拋光技術的開發能力,對於製程進行晶圓切片工作及提供客戶對接時更完整的產品與技術服務。

關鍵字: SiC  GaN  寬能隙半導體  化合物半導體  格棋化合物半導體 
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