快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V，Field Stop Trench IGBT系列元件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD，為電磁感應加熱應用的系統設計人員提供了高效的解決方案。這些IGBT同時採用Field Stop(場終止層)結構和抗雪崩的Trench gate(溝道閘)技術，可在開關導通損耗和切換損耗之間提供最佳權衡，進而獲得最高的效率。相比傳統的NPT-Trench IGBT器件，FGA20N120FTD可減小25％的開關導通損耗、8％的切換損耗，並大幅降低系統工作溫度。由於冷卻要求降低，系統可靠性得以增強，系統總成本減小。這些器件還內置了專為零電壓開關(ZVS) 技術而最佳化的快速恢復二極體(FRD)，進一步提高了可靠性。

快捷半導體的FGA20N120FTD和FGA15N120FTD採用了嚴格的參數分佈，可耐受更大的雪崩能量，能夠最大限度地減少雪崩工作模式下的性能變化和器件故障情況。這正是利用快捷半導體創新的Field Stop結構和專有的先進Trench gate單元設計的成果。