東芝與美國SanDisk共同發表了採用43nm製程，和2bit/單元多層技術所生產的16Gbit NAND快閃記憶體。這種晶片面積僅120平方公厘，可封裝在超小型儲存卡microSD內。新產品配備了控制柵極驅動電路和存儲陣列上的電源匯流排，NAND串數延長至66個，並減小電路面積達9％以上。

該兩家公司在2007年12月中，於美國華盛頓召開的電子元件技術國際會議2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）上，共同發表了用於實現此種16Gbit NAND快閃記憶體產品的製造技術。儲存單元採用浮游柵極構造。透過將儲存單元的控制柵極和浮游柵極間的絕緣膜（inter-gate dielectric film；IGD）厚度減薄到不足13nm，同時實現了多層記憶和高速寫入。此外，由於字線採用鈷矽化物材料、位線採用銅材料，所以減小了行解碼器和位線控制電路的面積。