上海中芯國際積體電路召開法人說明會並公佈第二季財報，並與以色列非揮發性記憶體技術開發廠商Saifun簽約，技轉Saifun特有的NROM技術供中芯生產快閃記憶體。中芯將以此技術為基礎，未來快閃記憶體亦將成為繼DRAM之後，中芯晶圓生產線填充產能的另一選擇。

中芯營運長Marco Mora表示，中芯過去以DRAM做為景氣低迷時的產能填補產品，策略運用在半導體產業間堪稱成功，因此也為中芯更先進製程晶圓廠物色合適的產能填補產品。因Saifun的NROM元件技術是以邏輯製程為基礎，中芯認為對未來填充高階產能極為適合。

Saifun是由總部位於以色列的快閃記憶體技術開發公司，台灣的旺宏電子與其合作多年，旺宏以Saifun技術為基礎，開發出「多值型記憶體(Multi Level Cell，MLC)」產品，功能近似NAND快閃記憶體，但個記憶體細胞（cell）可儲存四位元資料，在成本效益上更具優勢。