帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2024年10月07日 星期一

瀏覽人次:【812】

ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求,具備低缺陷率、高製程穩定性,成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本,促進了碳化矽元件的更廣泛應用。

PE208碳化矽磊晶系統
PE208碳化矽磊晶系統

隨著全面電氣化趨勢推動更多功率元件製造商在越來越多高功率應用中(如電動車、綠能與先進資料中心)使用碳化矽 (SiC),對碳化矽的需求和降低成本的期望日益增強,這促使了6吋至8吋碳化矽基板的過渡。同時,碳化矽元件製造商正致力於設計更高功率的元件,這些元件將受益於更優質的碳化矽磊晶技術。

關鍵字: SiC  GaN  寬能隙半導體  化合物半導體  ASM 
相關新聞
筑波舉辦化合物半導體與矽光子技術研討會 引領智慧製造未來
德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍
格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術
ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 最佳化大量低複雜度PCB測試的生產效率策略
» 確保裝置互通性 RedCap全面測試驗證勢在必行
» ESG趨勢展望:引領企業邁向綠色未來
» 高階晶片異常點無所遁形 C-AFM一針見內鬼
» 高速傳輸需求飆升 PCIe訊號測試不妥協


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.222.98.29
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw