DRAM产业将有一番重组了。据了解，全球第三大厂德国奇梦达与第四大厂商尔必达内存将就合作开发DRAM技术签署备忘录，并将在近期正式签订协议。备忘录内容将包括：合作开发40nm制程以下的DRAM产品、并包括设计和制程技术在内的IP交叉授权，未来并将成立合资工厂，共同生产产品并统合经营策略等。

两厂商预计合作开发的是40～30nm先进制程DRAM技术。尔必达将提供其擅长的堆栈电容器技术，而奇梦达则将采用其Buried Wordline技术中的金属栅极技术及经验，实现记忆单元的微细化和布线的低电阻化。

透过此次合作，两厂商将达到制程技术和设计规则的通用化，并在40nm以后制造构造相同的DRAM组件。双方都将40nm制程以后的开发案列入此次合作开发的目标。

除了DRAM技术的合作，双方也将强化两项合作措施。第一是，合作开发PRAM（phase change RAM）及MRAM（magnetoresistive RAM）等新一代内存及硅贯通电极技术。第二则是透过合资工厂进行合作生产以及产品的相互生产。未来并可能讨论经营合并的可行性。