根据日本报纸报导，NEC、东芝、日立、富士通、三菱电机、松下电器、SONY、夏普、三洋电机、冲电器工业、Rohm等11家日本半导体厂，联合出资750亿日圆(约250亿台币)，共同研发0.1微米以下的动态随机存取记忆体(DRAM)技术。

日本报纸指出，750亿日园中的375亿日圆，将由11家半导体制造厂商平均负担；余下的375亿日圆，由11家半导体制造厂，按照个厂的出货比重加权负担。 NEC人员表示，此共同研发0.1微米以下的半导体制造新技术计画，将在五年内完成。半导体业者说，半导体性能及成本取决于积体电路(IC)的线幅宽度，而目前最先进的线幅宽度约在0.1微米以上。欧、美各家大厂已开始研发先进技术，企图研发出0.1微米以下的半导体制造技术，以在未来的竞争中取得领先的地位。