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英飞凌收购碳化矽商Siltectra SiC晶片产能将倍增
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2018年11月19日 星期一

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英飞凌科技宣布收购位於德国德勒斯登的新创公司 Siltectra 。该新创公司开发一种创新的冷切割技术 ( Cold Split ),可有效处理晶体材料,并可大幅减少材料损耗。英飞凌将采用此 Cold Split 技术分割碳化矽 (SiC) 晶圆,使晶圆产出双倍的晶片数量。英飞凌与该公司主要股东 ━━ 创投业者 MIG Fonds 达成了 1.24 亿欧元收购价格的协议。

英飞凌执行长 Reinhard Ploss 博士表示:「此次收购将协助我们利用新材料碳化矽扩展优异的产品组合。我们对系统的了解以及在薄晶圆方面的独特专业技术将和 Cold Split 技术及 Siltectra 的创新能力相辅相成。 Cold Split 技术有助於我们以更多的 SiC 晶圆量产 SiC 产品,进一步扩展在再生能源,以及推动 SiC 在电动车传动系统的使用率。」

Siltectra 技术长 Jan Richter 博士表示:「我们很高兴能成为全球功率半导体市场领导团队的一员。事实已经证明Cold Split技术有助於英飞凌产品提升效能,我们正携手将技术用於量产。」

MIG 公司 MIG Fonds 管理者暨合夥人 Michael Motschmann 表示:「自从我们八年多前开始投资 Siltectra 以来,我们一直对 Cold Split 技术与这支杰出的团队充满期待。我们非常高兴能找到英飞凌成为买家,他们的技术和文化都非常适合这家公司。此外,我们也很自豪能透过投资协助提升德国经济竞争力。」

Siltectra 成立於 2010 年,至今持续发展包含 50 多个专利家族的 IP 矽智财组合。相较於一般切割技术,此新创公司开发的分割结晶材料技术耗损极低的材料。此技术也能应用於半导体材料 SiC,其需求预计将在未来几年迅速成长。目前 SiC 产品已应用於效率极高的小型太阳能变频器。未来,SiC 在电动车领域的重要性也将日益提高。 Cold Split 技术将在 Siltectra 目前位於德勒斯登的工厂及英飞凌位於奥地利菲拉赫的工厂实现工业化。预计将在未来五年内完成量产转移。

英飞凌提供最广泛的矽功率半导体产品组合以及创新的碳化矽 (SiC) 与氮化?? (GaN) 的基板,是目前全球唯一量产 12寸薄晶圆技术的公司,因此,英飞凌已准备好将薄晶圆技术运用於 SiC 产品。 Cold Split 技术将有助於确保 SiC 产品的供应,特别是长期而言。随着时间的推移, Cold Split 技术可??再往进一步应用,例如晶棒分裂或用於碳化矽以外的材料。

關鍵字: 碳化硅  Infineon 
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