受惠于国内四大DRAM厂90奈米新制程产能开始于十月起大量开出，以及东芝、新帝（SanDisk）又大量释出NAND闪存封测订单来台，后段封测厂硅品、力成、泰林、南茂等业者，第四季内存封测产能已全面告急。由于内存厂明年首季后仍会新产能陆续开出，配合韩国DRAM大厂Hynix又开始扩大委外代工订单，封测厂已开始下单采购设备，迎接第四季传统旺季到来。

国内DRAM厂七月起开始大量将主流制程由0.11微米转入90奈米，新制程产能已开始于九月底陆续开出，十月后将有逾半产出是采用新制程。由于90奈米新制程初期需要较长时间的测试，单片晶圆产出颗粒又较0.11微米增加30％，所以封装测试厂已接获上游DRAM厂通知，要求配合扩增后段封测产能。

同时，东芝及新帝亦开始增加NAND封测委外订单来台。二家合资的东芝四日市十二吋厂第三制造栋原订今年底月产能为4万7500片，但为了扩大市占率，月产能已提高至7万片，并开始以70奈米新制程量产。所以为东芝代工的力成、为新帝代工的硅品等二家业者，现在同样面临封测产能不足问题，不得不开始加码采购设备扩产。

设备业者指出，原本封测厂端下半年并没有太积极的扩产计划，但没想到DRAM价格在八月中旬开始大涨，NAND价格亦在九月止跌，不但减轻了封测价格下跌压力，上游客户端持续以新制程开出产能，对测试产能需求更为强劲，因此封测厂第三季停滞的扩产计划，又于近期重新启动，硅品、力成、泰林、南茂等业者，都有扩增封装测试设备的动作。

在NAND闪存部份，东芝及新帝明年将开始把主流制程由70奈米移转到56奈米，不但单片晶圆产出量增加超过三成，测试时间亦要拉长，加上东芝及新帝亦决定兴建第四制造栋，明年底月产能为2500片，2008年底月产能达6万7500片，所以光是二家业者委外订单，就够力成及硅品接单满到后年。