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Flash缺货 三星等厂转拨DRAM产能抢单
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年10月08日 星期三

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10月以来DRAM价格因市场需求未见增温而下跌,但NAND规格闪存却因缺货价格飙涨,包括三星、Hynix、美光、英飞凌等DRAM大厂,均提高闪存产能。此一动作也削减了DRAM产能,市调机构iSuppli预估,今年全球DRAM位年成长率(bit growth)只会达41%,远低于过去七年平均60%以上的成长率。

DRAM厂历经三年空头行情,全球除了三星之外,其余DRAM业者在这三年来都是巨幅亏损,庞大的财务压力让DRAM厂无力兴建新厂,只能依靠制程微缩增加产出。不过下半年市场景气复苏,DRAM价格回涨至4.5美元至5美元之间,DRAM厂向资金市场筹资容易,十二吋厂新产能也陆续在十月开出,因此包括全球半导体贸易统计组织(WSTS)、迪讯(Gartner Dataquest)等市场调查机构,以及英飞凌、尔必达等DRAM业者,预估今年全球DRAM位年成长率仍会达55%以上。

但是下半年至今,虽然DRAM市场景气复苏,但价格未见涨飙行情,反倒是NAND闪存因供给有限、需求快速成长,缺货情况愈趋严重,价格一路飙涨,全球最大DRAM与NAND闪存大厂三星电子,便大幅转拨DRAM产能去生产闪存。

iSuppli最新DRAM研究报告中指出,NAND规格闪存需求成长速度超过市场想象,市场供给量不足造成价格大涨,制程可以互换的DRAM厂已经开始转拨产能,投入NAND闪存市场,其中三星近期又转换DRAM产能与新开出的十二吋厂产能,去生产价格持续上涨的闪存,这导致三星今年DRAM位产出年成长率仅30%。在预期Hynix、英飞凌等业者也将减少DRAM产出、增加NAND闪存产出的情况下,今年全球DRAM位年成长率将只有41%,低于市场55%以上预期,也远低于过去七年平均60%以上的成长率。

iSuppli也在报告中指出,今年DRAM位成长率下降,加上需求成长强度不足,预估今年全球DRAM总出货量约达32亿5000万颗256Mb约当颗粒,若以平均价格为5.15美元计算,今年全球DRAM总市场规模仅达167亿美元,较去年小幅成长8.3%。而明年DRAM市场规模虽预估有明显成长,但来自于DRAM总产出增加,其中以今年筹得新资金所兴建的十二吋DRAM厂为主,而台湾地区DRAM厂则将是重要的供给增加来源。

關鍵字: Flash  三星  多次刻录只读存储器 
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